Samsung comienza a producir NVMe SSD de 3,2 Terabyte

Samsung Electronics Co. Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció que ha comenzado a producir en masa las unidades de estado sólido (SSD) de 3,2 terabyte (TB) NVMe * PCIe basado en su 3D V-NAND (Vertical NAND) la tecnología de memoria flash, para su uso en sistemas de servidores empresariales de gama alta.
El nuevo NVMe PCIe SSD, SM1715, utiliza la patentada 3D V-NAND de Samsung en un HHHL (media altura, de medio cuerpo) factor de forma de tipo tarjeta, para ofrecer 3,2 TB de capacidad de almacenamiento, duplicando la anterior de mayor densidad NVMe SSD de 1,6 TB de Samsung.